南亚科技股份有限公司周良宾获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210773911.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体元件及其制备方法是由周良宾设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一漏极区，设置在该基底中；一共源极区，设置在该基底中并与该漏极区相对；一位元线结构，包括设置在该基底上并与该共源极区电性连接的一位元线导电层；一存储胞接触，设置在该基底上、与该位元线结构相邻并与该漏极区电性连接；一着陆垫，设置在该位元线导电层上方并与该胞接触电性连接；以及一气隙，设置在该着陆垫和该位元线导电层之间。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制备方法，包括： 提供一基底； 在该基底上形成一位元线导电层，在该位元线导电层上形成一位元线内部封盖层，其中该位元线导电层和该位元线内部封盖层共同配置成一位元线结构； 形成覆盖该位元线结构的一位元线间隔封盖层； 形成与该位元线结构相邻的一胞接触； 在该位元线间隔封盖层和该胞接触上形成一毯状垫层； 沿着该毯状垫层形成多个垫层开口，并延伸到该位元线间隔封盖层和该位元线内部封盖层，使该毯状垫层变成多个着陆垫；以及 选择性地在该多个着陆垫上形成一密封层，并覆盖该多个垫层开口的上部，以在该位元线导电层和该多个着陆垫之间形成多个气隙， 其中执行一第一沉积制程以选择性地形成该密封层，并且该第一沉积制程包括： 一第一硅前趋物供应步骤，以供应一第一硅前趋物；以及 一第一氮气前趋物供应步骤，以供应一第一氮气前趋物， 其中该第一硅前趋物供应步骤包括一稳定化阶段、一流动化阶段以及一吹驱和真空化阶段，该流动化阶段的该第一硅前趋物的转移时间在大约0.15s秒到大约0.50s之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南亚科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新北市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励