上海华力微电子有限公司姜东伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利CMOS图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310465646.6，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权CMOS图像传感器及其制造方法是由姜东伟;陈辉;李晓玉设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，属于半导体制造技术领域，该CMOS图像传感器的制造方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有用于形成MOS管的源漏极区；在所述源漏极区范围内的第一离子注入区注入第一预定剂量的碳离子，后向所述源漏极区范围内的第二离子注入区注入第二预定剂量的氟离子，其中，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区至少部分地重合。通过依次向MOS管的源漏极区域依次注入碳离子和氟离子，利用在碳离子注入后会产生晶体缺陷的特性，使用晶体缺陷捕获氟离子，从而保证退火后源漏极区残留的氟离子，有效改善暗电流特性。
本发明授权CMOS图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，所述衬底上具有用于形成MOS管的源漏极区； 利用碳的扩散还原机制，在所述源漏极区范围内的第一离子注入区注入第一预定剂量的碳离子，后向所述源漏极区范围内的第二离子注入区注入第二预定剂量的氟离子，其中，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区至少部分地重合，所述第一预定剂量是所述第二预定剂量的4～6倍，向所述源漏极区注入第二预定剂量的氟离子后进行退火工艺，以改善晶格缺陷。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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