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龙图腾网获悉中国科学院空天信息创新研究院申请的专利一种静压补偿硅谐振微差压传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116465541B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310456021.3，技术领域涉及：G01L13/02；该发明授权一种静压补偿硅谐振微差压传感器及其制备方法是由谢波;李星雨;鲁毓岚;姚佳辉;陈德勇;王军波设计研发完成，并于2023-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种静压补偿硅谐振微差压传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种静压补偿硅谐振微差压传感器及其制备方法，传感器包括复合膜片，复合膜片包括由上至下依次设置的封装层、谐振器层、压力敏感膜层，谐振器层包括压敏电阻和两个谐振器，两个谐振器分别位于敏感膜层的中间区域和边缘区域；压敏电阻位于压力敏感膜层边缘且压敏电阻与封装层相接，压敏电阻用于检测静压大小。本发明为实现差压测量，通过压力膜片、谐振器层、封装层共同组成埋层谐振器复合膜片，两面的压力差使得膜片变形，并将应力传递给埋在膜片内部的谐振器，从而转化为谐振器频率变化。通过硬件或者软件补偿静压引起的谐振器频率偏移，从而拓展传感器的测量范围和量程比并最终提高传感器测量精度。

本发明授权一种静压补偿硅谐振微差压传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种静压补偿硅谐振微差压传感器，包括复合膜片240，所述复合膜片240包括由上至下依次设置的封装层210、谐振器层220、压力敏感膜层230，其特征在于： 所述谐振器层220包括压敏电阻222和两个谐振器221，两个所述谐振器221分别位于敏感膜层230的中间区域和边缘区域； 所述压敏电阻222位于所述压力敏感膜层230边缘且所述压敏电阻222与所述封装层210相接，所述压敏电阻用于检测静压大小； 所述谐振器层220包括填充结构223，所述填充结构223将所述谐振器221、所述压敏电阻222包围并与二者间隔设置，所述填充结构223的上下两侧分别与封装层210和压力敏感膜层230连接实现对谐振器的密封； 所述谐振器221位于靠近所述复合膜片240上表面的一侧； 所述压力敏感膜层230包括绝缘层233，所述绝缘层233与所述谐振器层220相接，所述绝缘层233的制造材料包括氧化硅；所述谐振器221的可动部位悬空； 所述压力敏感膜层230包括压力敏感膜232，所述压力敏感膜232位于所述绝缘层233下方的薄膜区域，所述薄膜区域与所述谐振器221和压敏电阻222所在区域对应，所述压力敏感膜232用于受压形变将应力传递给所述谐振器221； 所述封装层210包括氧化层212，形成于封装层210下表面；所述氧化层212包括两个谐振器凹槽；所述谐振器凹槽与所述谐振器层220的谐振梁对应，用于提供谐振梁振动空间。

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