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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利漏端采用PIN二极管结构的射频前端一体化器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116845064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310577513.8，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权漏端采用PIN二极管结构的射频前端一体化器件及制备方法是由张濛;邹旭;杨凌;马晓华;侯斌;武玫;郝跃设计研发完成，并于2023-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本漏端采用PIN二极管结构的射频前端一体化器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种漏端采用PIN二极管结构的射频前端一体化器件及制备方法，器件包括从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，所述GaN沟道层与所述AlGaN势垒层之间形成二维电子气；垂直设置的PIN二极管结构，所述PIN二极管结构位于所述AlGaN势垒层的一端之上；漏电极，所述漏电极位于所述PIN二极管结构上，当所述漏电极施加直流正电压时，PIN二极管结构呈导通状态，当所述漏电极施加直流负电压，PIN二极管结构呈关断状态。本发明将射频开关和功率放大器通过在漏极处形成垂直的PIN二极管结构的方法，集成在一个器件上，可以极大地减少射频前端器件的数量，芯片面积得到大幅度缩减。

本发明授权漏端采用PIN二极管结构的射频前端一体化器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种漏端采用PIN二极管结构的射频前端一体化器件，其特征在于，所述射频前端一体化器件包括： 从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，所述GaN沟道层与所述AlGaN势垒层之间形成二维电子气； 垂直设置的PIN二极管结构，所述PIN二极管结构位于所述AlGaN势垒层的一端之上；所述PIN二极管结构包括从下至上依次层叠设置的n型重掺杂GaN层、非掺杂GaN层和p型重掺杂GaN层； T型栅电极，所述T型栅电极设置在所述AlGaN势垒层上； 钝化层，覆盖所述T型栅电极且位于所述AlGaN势垒层上； 源电极，所述源电极位于远离所述PIN二极管结构一端的所述GaN沟道层上； 场板结构，所述场板结构位于SiN钝化层上，且所述T型栅电极位于所述场板结构的下表面之下，所述源电极和所述场板结构连接； 漏电极，所述漏电极位于所述PIN二极管结构上，当所述漏电极施加直流正电压时，PIN二极管结构呈导通状态，当所述漏电极施加直流负电压，PIN二极管结构呈关断状态。

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