南京大学陈鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118326333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410452509.3，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法是由陈鹏;郭庄鹏;谢自力;陈敦军;修向前;刘斌;赵红;张荣;郑有炓设计研发完成，并于2024-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法，其特征在于在衬底上先用生长速度慢的同质靶材生长一层AlN薄膜A层，再用生长速度快的异质靶材生长一层AlN薄膜B层，如此循环进行，获得夹层沉积AlN薄膜。采用本发明方法生长获得的夹层AlN薄膜，利用同质靶材与异质靶材本身的不同生长机制，可以同时获得表面平整的AlN薄薄膜，且具有较快的生长速度，可以很好地兼容大批量低成本制备工艺。同时，采用本发明方法生长获得的夹层AlN薄膜，有利于在后续高温退火中释放再结晶应力，可以实现低应力的AlN晶体薄膜。
本发明授权一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法在权利要求书中公布了：1.一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法，其特征在于在衬底上先用生长速度慢的同质靶材生长一层AlN薄膜A层，再用生长速度快的异质靶材生长一层AlN薄膜B层，如此循环进行，获得夹层沉积AlN薄膜；其中所述生长速度慢的同质靶材是指AlN靶材，生长速度快的异质靶材是指Al靶材； 生长AlN薄膜A层的条件为： 溅射功率：20～100W； N2气流量：0～100sccm； Ar气流量：0～100sccm； 腔室气压：3～20mTorr； 衬底温度：室温～500℃； 生长AlN薄膜B层的条件为： 溅射功率：100～300W； N2气流量：0～100sccm； Ar气流量：0～100sccm； 腔室气压：3～20mTorr； 衬底温度：室温～500℃。
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