闽都创新实验室孙捷获国家专利权
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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种厚度可控的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118598190B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410657196.5，技术领域涉及：C01G39/02；该发明授权一种厚度可控的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法是由孙捷;邓俐颖;李洋;闫彩红;王星辉;潘魁;张恺馨;林畅;严群;郭太良设计研发完成，并于2024-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种厚度可控的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种厚度可控的二维过渡金属氧化物TMOs薄膜的制备方法。其通过将用于二维TMOs生长的过渡金属氧化物前驱体和碱金属盐混合放置于衬底下方的刚玉舟内，然后经加热使混合粉末反应、熔融，再通过控制降温速率，从而在衬底上得到厚度可控的二维TMOs薄膜。该方法操作简单方便，重复性好，适用性广，可以实现大面积二维TMOs薄膜的制备，对二维TMOs的应用及后续研究具有重要意义，且制备出的TMOs薄膜结晶性良好、横向尺寸较大，为后续器件制备奠定了基础。
本发明授权一种厚度可控的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种厚度可控的二维过渡金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将衬底清洗干净，并置于管式炉的加热区域； 2将过渡金属氧化物前驱体粉末和碱金属盐粉末混合均匀后放置于衬底下方的刚玉舟内，并使衬底用于沉积的一面朝向混合粉末进行放置； 3在持续通入惰性气体的条件下将管式炉加热至恒定温度，使混合粉末反应、熔融； 4以一定的速率进行降温，从而在衬底上沉积获得所述二维过渡金属氧化物薄膜； 步骤2中所用过渡金属氧化物前驱体粉末和碱金属盐粉末的质量比为0.1~10；其中所用过渡金属氧化物前驱体为MoO3，所用碱金属盐为K2Mo3O10； 步骤4中降温速率为2℃分钟~5℃分钟。
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