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龙图腾网获悉苏州旗芯微半导体有限公司申请的专利高速高压比较器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119171911B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411678486.4，技术领域涉及：H03M1/34；该发明授权高速高压比较器是由章彬;王洋;吴建舟设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本高速高压比较器在说明书摘要公布了：本发明提供一种高速高压比较器，适用于模数转换电路，包括依次连接的前置信号电压转换模块、中置信号放大模块、后置信号闩锁模块；所述前置信号电压转换模块内包含的器件均为高电压的器件，接收高电压的输入信号，转换成低电压的输入信号，发送给所述中置信号放大模块；所述中置信号放大模块包括多级级联的放大器，包含的器件均为低电压的器件，对所述低电压的输入信号进行放大处理，生成中间级模拟信号，发送给所述后置信号闩锁模块；所述后置信号闩锁模块包含的器件均为低电压的器件，由时钟信号控制，将所述中间级模拟信号转换成数字信号并输出。本发明所述高速高压比较器，能够满足高速高压的应用需求。而且噪声小，失配小，抗干扰能力强。

本发明授权高速高压比较器在权利要求书中公布了：1.一种高速高压比较器，适用于模数转换电路，其特征在于，所述高速高压比较器包括依次连接的前置信号电压转换模块、中置信号放大模块、后置信号闩锁模块以及为所述中置信号放大模块和所述后置信号闩锁模块提供低电压电源的电压产生电路；所述前置信号电压转换模块内包含的器件均为高电压的器件，接收高电压的输入信号，转换成低电压的输入信号，发送给所述中置信号放大模块；所述中置信号放大模块包括多级级联的放大器，包含的器件均为低电压的器件，对所述低电压的输入信号进行放大处理，生成中间级模拟信号，发送给所述后置信号闩锁模块；所述后置信号闩锁模块包含的器件均为低电压的器件，由时钟信号控制，将所述中间级模拟信号转换成数字信号并输出；所述中置信号放大模块包括N个放大器，分别为第一级放大器、第二级放大器、直至第N级放大器，N为大于等于三的正整数，所述第二级放大器包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容，所述第六PMOS管的源端连接所述低电压电源，所述第六PMOS管的栅端连接第二偏置电压，所述第六PMOS管的漏端连接所述第七PMOS管的源端、所述第八PMOS管的源端，所述第七PMOS管的栅端、所述第八PMOS管的栅端共同构成第三信号输入端，与第二信号输出端连接，接收第三输入信号，且所述第七PMOS管的栅端经由所述第一电容连接第五PMOS管的漏端，所述第八PMOS管的栅端经由所述第二电容连接第四PMOS管的漏端，且所述第七PMOS管的栅端经由第一开关连接第五偏置电压，所述第八PMOS管的栅端经由第二开关连接所述第五偏置电压，所述第七PMOS管的漏端连接所述第九PMOS管的源端，所述第八PMOS管的漏端连接所述第十PMOS管的源端，所述第九PMOS管的栅端、所述第十PMOS管的栅端连接第三偏置电压，所述第九PMOS管的漏端连接所述第一NMOS管的漏端，所述第十PMOS管的漏端连接所述第二NMOS管的漏端，所述第九PMOS管的漏端、所述第十PMOS管的漏端共同构成第三信号输出端，输出第三输出信号，所述第一NMOS管的栅端、所述第二NMOS管的栅端连接第四偏置电压，所述第一NMOS管的源端连接所述第三NMOS管的漏端，所述第三NMOS管的源端接地，所述第二NMOS管的源端连接所述第四NMOS管的漏端，所述第四NMOS管的源端接地，所述第三NMOS管的栅端、所述第四NMOS管的栅端共同经由所述第三电容连接所述第九PMOS管的漏端，所述第三NMOS管的栅端、所述第四NMOS管的栅端共同经由所述第四电容连接所述第十PMOS管的漏端，所述第三NMOS管的栅端、所述第四NMOS管的栅端经由串联的第三开关、第四开关连接第六偏置电压，所述第九PMOS管的漏端经由串联的第五开关、第六开关连接共模电压，所述第十PMOS管的漏端经由串联的第七开关、第八开关连接共模电压，所述第三开关、所述第四开关的连接点与所述第五开关、所述第六开关的连接点之间连接所述第五电容，所述第三开关、所述第四开关的连接点与所述第七开关、所述第八开关的连接点之间连接所述第六电容；所述前置信号电压转换模块包括第零PMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻、第二电阻，所述第零PMOS管的源端连接高电压电源，所述第零PMOS管的栅端连接第零偏置电压，所述第零PMOS管的漏端连接所述第一PMOS管的源端、所述第二PMOS管的源端，所述第一PMOS管的栅端、所述第二PMOS管的栅端共同构成第一信号输入端，接收所述高电压的输入信号，所述第一PMOS管的漏端经由所述第一电阻接地，所述第二PMOS管的漏端经由所述第二电阻接地，所述第一PMOS管的漏端、所述第二PMOS管的漏端共同构成第一信号输出端，输出所述低电压的输入信号；所述第一电阻被配置为当所述第一PMOS管导通时流经所述第一电阻的电流与所述第一电阻的阻值的乘积小于1.1V，所述第二电阻被配置为当所述第二PMOS管导通时流经所述第二电阻的电流与所述第二电阻的阻值的乘积小于1.1V，所述低电压为1.1V，所述高电压为5V或3V。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州旗芯微半导体有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市高新区金山东路78号2幢Z104室2层213；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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