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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119647381B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411726742.2，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法是由叶雪荣;郭子剑;王辰一;冯超;周振宁;张天翼;陈岑;陈昊;郑伟;高晓颖;翟国富设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法在说明书摘要公布了：一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法，属于MOS场效应管性能与可靠性分析技术领域。为了解决现有的MOS场效应管失效物理建模方案未曾考虑性能参数退化过程以及退化模型中的模型系数存在无法反映批次产品一致性的问题，本发明首先根据MOS场效应管的典型失效机理，确定考虑质量一致性的失效物理模型通用表达形式，开展MOS场效应管多应力加速试验设计并试验得到加速试验结果，采用基于Copula的多参数相关性方法，计算失效物理模型系数，得到电子元器件失效物理模型，进而确定考虑质量一致性的失效物理模型。最后根据考虑质量一致性的失效物理模型进行估计。

本发明授权一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法在权利要求书中公布了：1.一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：根据MOS场效应管的典型失效机理，确定考虑质量一致性的失效物理模型通用表达形式； 考虑质量一致性的失效物理模型包括性能退化型失效物理模型和功能失效型失效物理模型；性能退化型失效物理模型系数表示对应模型中的所有模型系数，模型质量一致性表征为特性输出初始值Y0和性能退化型失效物理模型的退化速率AD服从二维正太分布，用表示退化速率AD的均值，表示退化速率AD的标准差；功能失效型失效物理模型系数表示对应模型中的所有模型系数，模型质量一致性信息表征为函数速率系数AF服从正太分布； 性能退化型失效物理模型的电子元器件特性输出如下： 1 其中，Yt表示t时刻电子元器件特性输出，Y0表示特性输出初始值，表示性能退化型失效物理模型，S表示应力类型集合，t表示时间； 性能退化型失效物理模型的模型质量一致性表征为Y0和函数的退化速率AD服从二维正太分布，即满足公式2： 2 式中，表示Y0的均值，表示Y0的标准差，表示退化速率AD的均值，表示退化速率AD的标准差，表示相关性系数； 所述功能失效型失效物理模型构建如下： 3 其中，τ表示电子元器件寿命，S表示应力组合,表示失效机理为失效型失效物理模型； 功能失效型失效物理模型质量一致性信息表征为函数速率系数AF服从正太分布，即满足 其中，分别表示功能失效型失效物理模型对应AF的均值和标准差； 步骤二：结合步骤一构建的考虑质量一致性的失效物理模型通用表达形式，开展MOS场效应管多应力加速试验设计； 步骤三、根据步骤二的加速试验设计得到加速试验结果，采用基于Copula的多参数相关性方法，计算失效物理模型系数，得到电子元器件失效物理模型，进而确定考虑质量一致性的失效物理模型。

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