合肥晶合集成电路股份有限公司王磊获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利CMOS图像传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223515242U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423015110.3，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型CMOS图像传感器是由王磊;汪文婷;刘波;邓少鹏设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS图像传感器在说明书摘要公布了：本实用新型提供CMOS图像传感器，在光电二极管上设置多晶硅层且多晶硅层与传输晶体管电连接，传输晶体管与多晶硅层的电压时序一致，以共同控制光电二极管中的光电子的传输。本实用新型具有意想不到的效果，传输晶体管与多晶硅层同时接负电压时，多晶硅层上的电场作用使得基底内的空穴向基底表面聚集，使得基底表面的氧化层与基底内的光电二极管具有更好的隔离效果，有利于降低CMOS图像传感器的暗电流。传输晶体管与多晶硅层同时接正电压时，多晶硅层上的电场作用促进了光电二极管内的电子的转移，改善了CMOS图像传感器的图像拖尾现象。以及本实用新型在不改变钉扎层中离子注入浓度的前提下，可通过多晶硅层的电场作用增加CMOS图像传感器的像素满阱容量。
本实用新型CMOS图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括： 基底； 光电二极管，所述光电二极管位于所述基底内，所述光电二极管用于产生光电子； 多晶硅层，所述多晶硅层位于所述光电二极管上； 传输晶体管，所述传输晶体管位于所述基底上且与所述多晶硅层电连接； 其中，所述传输晶体管与所述多晶硅层的电压时序一致，以共同控制所述光电二极管中的光电子的传输。
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