安靠科技新加坡控股私人有限公司舒恩·布尔获国家专利权
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龙图腾网获悉安靠科技新加坡控股私人有限公司申请的专利半导体装置和制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010771385.7，技术领域涉及：H01L23/482；该发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法是由舒恩·布尔;拉马肯斯·阿拉帕蒂设计研发完成，并于2020-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：半导体装置和制造半导体装置的方法。一种封装半导体装置包含具有第一主表面和相对的第二主表面的衬底。堆叠式半导体装置结构连接到所述第一主表面，并且包含具有端子的多个半导体管芯。导电互连结构将所述半导体管芯的所述端子电连接在一起。所述半导体管芯堆叠在一起，使得所述端子暴露，并且所述堆叠式半导体装置结构包括阶梯状轮廓。所述导电互连结构包括基本上遵循所述阶梯状轮廓的共形层。
本发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种封装半导体装置，其包括： 衬底，所述衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述衬底包括一个或多个有机介电层； 堆叠式半导体装置结构，所述堆叠式半导体装置结构耦合到所述第一主表面并且包括半导体管芯，所述半导体管芯包括管芯顶侧、管芯底侧、管芯横向侧、与所述管芯顶侧邻近的管芯端子以及位于所述管芯顶侧上方并且与所述管芯端子重叠的钝化层，其中： 所述钝化层包括开口以暴露所述管芯端子的部分；以及 所述半导体管芯耦合在一起，使得所述管芯端子暴露，并且所述堆叠式半导体装置结构包括阶梯状轮廓； 导电互连结构，所述导电互连结构位于所述堆叠式半导体装置结构的部分之上并且将所述半导体管芯的所述管芯端子耦合在一起；以及 介电结构，所述介电结构包括插入在所述导电互连结构和所述管芯横向侧之间并且插入在所述导电互连结构和被所述钝化层覆盖的所述管芯顶侧的区段之间的介电部分，其中： 所述导电互连结构包括符合所述阶梯状轮廓的共形层； 所述介电部分延伸至所述管芯顶侧的所述区段上而不接触所述管芯端子； 每个介电部分均为单一电介质； 所述导电互连结构与所述介电部分接触，无需额外的中间电介质。
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