南亚科技股份有限公司黄圣富获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110733369.3，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体结构及其形成方法是由黄圣富;施信益设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构包括第一晶圆、导电通孔、隔离层以及间隔结构。第一晶圆包括半导体基板、多层互连结构与介电层。半导体基板包括正面与背面。多层互连结构位于半导体基板的正面。介电层位于半导体基板的背面。导电通孔从介电层延伸至多层互连结构的导线。隔离层位于导电通孔与第一晶圆之间。间隔结构位于导电通孔与隔离层之间，其中间隔结构与导线分开。由于间隔结构设置于隔离层上，故泄漏问题可以被避免。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 第一晶圆，包含： 半导体基板，具有正面与背面； 多层互连结构，位于该半导体基板的该正面上；以及 介电层，位于该半导体基板的该背面上； 导电通孔，从该介电层延伸至该多层互连结构的导线； 隔离层，位于该导电通孔与该第一晶圆之间，其中该隔离层具有延伸到该导线上的直线部分、位于该直线部分上的渐缩部分及位于该渐缩部分上的水平部分；以及 间隔结构，位于该导电通孔与该隔离层之间，其中该间隔结构与该导线分开，其中该导电通孔接触该隔离层的该直线部分与该间隔结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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