应用材料公司D·汤普生获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利使用表面封端化学性质的薄膜电介质的选择性沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113936994B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111203384.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权使用表面封端化学性质的薄膜电介质的选择性沉积是由D·汤普生;M·萨利;B·J·布扬设计研发完成，并于2016-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用表面封端化学性质的薄膜电介质的选择性沉积在说明书摘要公布了：相对于第二基板表面选择性地沉积膜到第一基板表面上的方法。方法包括使用甲硅烷基胺浸泡包含羟基终端的基板表面以形成甲硅烷基醚终端以及沉积膜到该甲硅烷基醚终端表面以外的表面上。
本发明授权使用表面封端化学性质的薄膜电介质的选择性沉积在权利要求书中公布了：1.一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤： 使包括具有羟基终端表面的第一基板表面和具有氢终端表面的第二基板表面的基板暴露于甲硅烷基酰胺，以与所述羟基终端表面反应，而形成甲硅烷基醚终端表面，所述第一基板表面和所述第二基板表面中的一者或更多者包含电介质； 通过使所述基板暴露于一种或更多种沉积气体来优先于所述第一基板表面选择性地在所述第二基板表面上形成膜；以及 在所述第二基板表面上形成预定量的膜之后蚀刻所述甲硅烷基醚终端表面，之后再次暴露于甲硅烷基酰胺，以再次形成所述甲硅烷基醚终端表面和另外的膜形成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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