台湾积体电路制造股份有限公司王超群获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有电介质帽盖层和蚀刻停止层堆叠的互连结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110569696.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权具有电介质帽盖层和蚀刻停止层堆叠的互连结构是由王超群;王仁宏设计研发完成，并于2021-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有电介质帽盖层和蚀刻停止层堆叠的互连结构在说明书摘要公布了：本公开涉及具有电介质帽盖层和蚀刻停止层堆叠的互连结构。一种形成半导体器件的方法包括：在设置在衬底之上的第一电介质层中形成第一导电特征；在第一导电特征的远离衬底的上表面之上形成金属帽盖层；在第一电介质层的上表面之上并且与金属帽盖层横向相邻地选择性地形成电介质帽盖层，其中，金属帽盖层被电介质帽盖层暴露；以及在金属帽盖层和电介质帽盖层之上形成蚀刻停止层堆叠，其中，蚀刻停止层堆叠包括多个蚀刻停止层。
本发明授权具有电介质帽盖层和蚀刻停止层堆叠的互连结构在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括： 在设置在衬底之上的第一电介质层中形成第一导电特征； 在所述第一导电特征的远离所述衬底的上表面之上形成金属帽盖层； 在所述第一电介质层的上表面之上并且与所述金属帽盖层横向相邻地选择性地形成电介质帽盖层，其中，所述金属帽盖层被所述电介质帽盖层暴露；以及 在所述金属帽盖层和所述电介质帽盖层之上形成蚀刻停止层堆叠，其中，所述蚀刻停止层堆叠包括多个蚀刻停止层； 其中，形成所述蚀刻停止层堆叠包括： 在所述金属帽盖层和所述电介质帽盖层之上形成氮化铝层； 在所述氮化铝层之上形成第一氧化铝层； 在所述第一氧化铝层之上形成掺杂氧的碳化硅层；以及 在所述掺杂氧的碳化硅层之上形成第二氧化铝层。
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