南亚科技股份有限公司林原园获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110636530.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体元件及其制备方法是由林原园设计研发完成，并于2021-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有气隙与氮化硼罩盖以降低在一图案密集区中的电容耦合。该半导体元件包括一第一导电特征以及一第二导电特征，是设置在一半导体基底的一图案密集区上。该半导体元件亦包括一第三导电特征以及一第四导电特征，设置在该半导体基底的一图案稀疏区上。该半导体元件还包括一氮化硼层，设置在该半导体基底的该图案密集区上与该图案稀疏区上。该氮化硼层位在该第一导电特征与该第二导电特征之间的一第一部分，是通过一气隙而与该半导体基底分开设置；以及该氮化硼层位在该第三导电特征与该第四导电特征之间的一第二部分，是直接接触该半导体基底。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一第一导电特征以及一第二导电特征，设置在一半导体基底的一图案密集区上； 一第三导电特征以及一第四导电特征，设置在该半导体基底的一图案稀疏区上； 一氮化硼层，设置在该半导体基底的该图案密集区与该图案稀疏区上，其中该氮化硼层位在该第一导电特征与该第二导电特征之间的一第一部分，是通过一气隙而与该半导体基底分开设置；而该氮化硼层位在该第三导电特征与该第四导电特征之间的一第二部分，是直接接触该半导体基底；以及 一能量可移除结构，设置在该第一导电特征与该第二导电特征之间，其中该能量可移除结构的一部分是位在该气隙与该半导体基底之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南亚科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新北市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励