西安电子科技大学周小伟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111263405.0，技术领域涉及：H10N30/85；该发明授权一种易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜及其制备方法是由周小伟;冯宸宇;李培咸;杨雪;马晓华设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜及其制备方法，本发明使用溅射方法、MOCVD方法或MBE方法在转移在蓝宝石的二维BN层上生长AlScN薄膜，提高了可剥离性，并通过高温退火工艺提高了材料的质量，因此本发明的易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜可用于滤波器设备中。
本发明授权一种易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜，自下而上包括：蓝宝石衬底层以及二维BN层，其特征在于，在所述二维BN层上生长有AlScN层，所述AlScN层通过高温退火工艺处理；所述铝钪氮薄膜应用在滤波器设备中，所述高温退火温度为1200℃-1900℃，退火时间为10min-20h，退火保护气氛为氮气；所述二维BN层的厚度为1-10nm，所述AlScN层的厚度为200nm-2000nm。
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