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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256326B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110147277.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由新井雅俊设计研发完成，并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供能够降低发生破坏的可能性的半导体装置。实施方式的半导体装置，具备第一金属部件、半导体元件和第二金属部件。第一金属部件与第一端子电连接。半导体元件包括第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极以及第二电极。第二金属部件设置于第二电极之上，与第二电极电连接，并与第二端子电连接。半导体元件包括：第一部分，在第一方向上与第二金属部件重叠；及第二部分，在第一方向上与第二金属部件不重叠。在第二部分中相邻的栅极电极彼此之间的第一半导体区域在第二方向上的长度，比在第一部分中相邻的栅极电极彼此之间的第一半导体区域在第二方向上的长度长。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第一金属部件，与第一端子电连接； 半导体元件，包括： 第一电极，设置于所述第一金属部件之上，并与所述第一金属部件电连接； 第一导电型的第一半导体区域，设置于所述第一电极之上； 第二导电型的第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域之上； 第一导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域之上； 栅极电极，在与从所述第一金属部件朝向所述第一电极的第一方向垂直的第二方向上，隔着栅极绝缘层与所述第一半导体区域的一部分、所述第二半导体区域及所述第三半导体区域对置；和 第二电极，设置于所述第二半导体区域之上以及所述第三半导体区域之上，并与所述第二半导体区域以及所述第三半导体区域电连接，所述半导体元件为，在所述第二方向上设置有多个所述第二半导体区域、所述第三半导体区域以及所述栅极电极；以及 第二金属部件，设置于所述第二电极之上，与所述第二电极电连接，并与第二端子电连接， 所述半导体元件包括： 第一部分，供所述第二电极设置，在所述第一方向上与所述第二金属部件重叠；和 第二部分，供所述第二电极设置，在所述第一方向上与所述第二金属部件不重叠， 在所述第二部分中相邻的所述栅极电极彼此之间的所述第一半导体区域在所述第二方向上的长度，比在所述第一部分中相邻的所述栅极电极彼此之间的所述第一半导体区域在所述第二方向上的长度长。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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