厦门市三安集成电路有限公司陈金龙获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种半导体器件抗静电结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210000218.1，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种半导体器件抗静电结构及其制备方法是由陈金龙;何先良;魏鸿基设计研发完成，并于2022-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件抗静电结构及其制备方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件抗静电结构及其制备方法，该结构的制备是：在N型半导体层上生长InGaP层、N型GaAs层、I层、P型GaAs层，在P型GaAs层表面蒸镀并刻蚀形成两个间隔的第一金属层；控制湿法刻蚀工艺在第一金属层下方形成宽度小于第一金属层的PIN半导体层；涂布光阻至厚度超过第一金属上方，曝光、显影，在第一金属层上方及两个PIN半导体层之间区域打开窗口；蒸镀金属、高温退火，在N型半导体层上方形成欧姆接触的第二金属层、在第一金属层上方形成欧姆接触的第三金属层，第二金属层与两个PIN半导体结构均具有间隙；该半导体器件抗静电结构的制法能够将第二金属层做得很宽，大幅降低两个PIN之间的串联电阻，提升芯片的抗静电能力。
本发明授权一种半导体器件抗静电结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的抗静电结构，其特征在于：包括N型半导体层、形成于N型半导体层上方且呈间隔设置的两个PIN半导体层、形成于PIN半导体层上方的第一金属层、以及形成于N型半导体层上方且位于两个PIN半导体层之间的第二金属层，其中，PIN半导体层从下至上由InGaP层、N型GaAs层、I层、P型GaAs层组成，第一金属层具有在宽度方向上向两个PIN半导体层中间延伸出超过PIN半导体层的凸部，第二金属层与两个PIN半导体层之间均具有间隙，凸部的宽度与其下方对应的间隙宽度相等；所述第一金属层上方还具有第三金属层，第二金属层和第三金属层材料相同；所述两个PIN半导体层之间的间隔距离为1.5μm至4μm，凸部的宽度为0.5μm至1μm，第二金属层的宽度为所述间隔距离与两倍凸部的宽度之差。
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