湖南国芯半导体科技有限公司高秀秀获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南国芯半导体科技有限公司申请的专利一种带场板和场限环的边缘终端及其制造方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210569994.3，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一种带场板和场限环的边缘终端及其制造方法和应用是由高秀秀;刘洪伟;戴小平设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带场板和场限环的边缘终端及其制造方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带场板和场限环的边缘终端及其制造方法和应用，该边缘终端包括衬底和形成于衬底一侧的漂移区，漂移区的外侧形成有主结区和若干个场限环，若干个场限环依次环绕在主结区的外周，在场限环与主结区外侧的同一水平面上形成有钝化层整板，钝化层整板上形成场板整板，场板整板的材质为栅极金属。其制造方法包括采用沉积、光刻和刻蚀工艺在衬底上制备以整片整板的形式存在的钝化层和场板。本发明带场板和场限环的边缘终端具有终端效率高、阻断电压高等优点，可广泛用于制造MOSFET、IGBT中，使用价值高，应用前景好，其对应的制造方法可以大幅降低操作难度以及简化操作流程，因而更有利于提高性能的可靠性。
本发明授权一种带场板和场限环的边缘终端及其制造方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种带场板和场限环的边缘终端，其特征在于，包括衬底和形成于衬底一侧的漂移区，所述漂移区的外侧形成有主结区和若干个场限环，所述若干个场限环依次环绕在主结区的外周，在所述场限环与主结区外侧的同一水平面上形成有钝化层整板；所述钝化层整板上形成场板整板，所述场板整板的材质为栅极金属；所述场板整板的尺寸和形状与钝化层整板相同；所述钝化层整板的厚度为0.4μm～1.6μm；所述钝化层整板的材质为SiO2；所述场板整板的材质为Al、AlCu、AlSiCu、Ni、Ti中的至少一种；所述漂移区的峰值掺杂浓度为5e14cm-3～3e16cm-3。
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