山东华光光电子股份有限公司刘飞获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种应变非对称结构的半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114865455B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210422309.4，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种应变非对称结构的半导体激光器及其制备方法是由刘飞;张新;于军设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应变非对称结构的半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种应变非对称结构的半导体激光器，其中，所述激光器包括由下至上依次设置的：GaAs衬底、GaAs过渡层、Alx1Ga1‑x1As下渐变层、Alx2Ga1‑x2As下限制层、Alx3Ga1‑x3As下波导层、Alx4Ga1‑x4Asy1P1‑y1垒层、GaAs缓冲层、Inx5Ga1‑x5As量子阱、Alx6Ga1‑x6As上波导层、Alx7Ga1‑x7As上渐变层、Alx8Ga1‑x8As上限制层、Alx9Ga1‑x9As上渐变层和GaAs帽层。本发明通过非对称波导层及限制层设计，增大载流子限制能力，压缩光场向N侧偏移，减少吸收损耗，提高转换效率及工作可靠性。
本发明授权一种应变非对称结构的半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种应变非对称结构的半导体激光器，其中，所述激光器包括由下至上依次设置的：GaAs衬底、GaAs过渡层、Alx1Ga1-x1As下渐变层、Alx2Ga1-x2As下限制层、Alx3Ga1-x3As下波导层、Alx4Ga1-x4Asy1P1-y1垒层、GaAs缓冲层、Inx5Ga1-x5As量子阱、Alx6Ga1-x6As上波导层、Alx7Ga1-x7As上渐变层、Alx8Ga1-x8As上限制层、Alx9Ga1-x9As上渐变层和GaAs帽层；其中： 所述x1从下到上由其下限值渐变至所述x2的值； 所述x4与x3取值相同，且所述y1从下到上由从高向低渐变； 所述x7从下到上由所述x6的值渐变至x8的值； 所述x9从下到上由x8的取值渐变至x9的下限值； 所述x3、x6、x8的值依次增大，所述x2的值小于x8的值。
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