深圳大学郑壮豪获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种高质量柔性n型Cu掺杂锑化铋热电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148889B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210821662.X，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种高质量柔性n型Cu掺杂锑化铋热电薄膜及其制备方法是由郑壮豪;杨文裕;彭宇敏;姚嘉敏设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高质量柔性n型Cu掺杂锑化铋热电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高质量柔性n型Cu掺杂Bi2Te3热电薄膜及其制备方法。该制备方法包括：首先，采用Bi和Cu靶材，采用磁控共溅射技术，在柔性衬底上制备BiCu混合薄膜，通过调节单质金属Bi和单质金属Cu靶材的溅射功率和溅射时间，调节Bi和Cu的含量；随后，采用Te单质靶材，采用磁控溅射技术制备Te单质薄膜；最后，将所制备的BiCu混合薄膜与Te单质薄膜进行贴合，并在底部进行加热，最终制备了一种具有高择优取向的柔性n型Cu掺杂Bi2Te3热电薄膜。该方法制备薄膜简单方便，极大简化了薄膜制备流程，制备成本低，可实现产业化生产。该方法所制备的薄膜质量高，重复性好，易于控制薄膜成分和薄膜生长取向。
本发明授权一种高质量柔性n型Cu掺杂锑化铋热电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性n型Cu掺杂Bi2Te3热电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤： 以Bi靶材和Cu靶材作为共溅射靶材，采用磁控共溅射技术，所述Bi靶材的溅射功率为5~30W，所述Bi靶材的溅射时间为5~100分钟；所述Cu靶材的溅射功率为5~10W，所述Cu靶材的溅射时间为10秒~10分钟，在柔性衬底上制备BiCu混合薄膜； 以Te靶材作为溅射靶材，采用磁控溅射技术，所述Te靶材的溅射功率为10~40W，所述Te靶材的溅射时间为5~100分钟，在柔性衬底上制备Te单质薄膜； 将所述BiCu混合薄膜与所述Te单质薄膜进行贴合，并进行热处理，得到具有001择优取向的柔性n型Cu掺杂Bi2Te3热电薄膜。
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