广州光达创新科技有限公司钟知鸣获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉广州光达创新科技有限公司申请的专利一种量子点光探测器件、阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115589737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211167446.4，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权一种量子点光探测器件、阵列及其制备方法是由钟知鸣;杨喜业;黄飞设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量子点光探测器件、阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种量子点光探测器件，所述量子点光探测器件包括功能层，其中，所述功能层为多层结构，所述多层结构中，至少依次设置有P型半导体层、胶体量子点层和N型半导体层；所述P型半导体层选自无机半导体材料和大共轭体系的金属配合物中的一种；所述P型半导体层和N型半导体层至少有一层为有机半导体材料；所述大共轭体系的金属配合物选自酞菁铅及其衍生物中的一种或多种。本发明技术方案中，有机半导体可以弥补纯无机量子点光探测器件在特定波段的吸收和响应。本发明中的有机半导体可以钝化无机量子点的表面缺陷，从而进一步提高光响应。
本发明授权一种量子点光探测器件、阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点光探测器件，其特征在于，所述量子点光探测器件包括功能层， 其中， 所述功能层为多层结构， 所述多层结构中，至少依次设置有P型半导体层、胶体量子点层和N型半导体层； 所述P型半导体层选自酞菁铅及其衍生物中的一种或多种； 所述胶体量子点层选自GaP、ZnSe、ZnS、CuO、CuO2、CuS、CuSe、CuInS2、CuInSe2、CuInGaSe、CuInGaS、Ge、PbS、PbSe、HgTe或AgBiS2的一种或多种； 所述N型半导体层的材料选自如下结构的一种或多种： ； 其中，所述M选自第I、II、III、IV主族元素，或过渡元素及其化合物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州光达创新科技有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区瑞和路39号H6栋601；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励