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龙图腾网获悉福州大学申请的专利基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115734634B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211580087.5，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件及其制备方法是由杨尊先;郭太良;周元庆;伍文博;曾志伟;孟宗羿;叶芸;张永爱;陈恩果;周雄图设计研发完成，并于2022-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件及其制备方法，由以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳的立方型SnSeZnSeSnSeZnSe多阱核壳量子阱为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、发光层的LED器件。本发明运用热注入法制备具有立方型SnSeZnSeSnSeZnSe多阱核壳量子阱材料，其结构新颖，发光层形貌优异规整，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、立方形貌、良好的结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。

本发明授权基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件，其特征在于：由下至上依次包括电极、无机电子传输层、发光层、有机空穴传输层和ITO玻璃基底，其中发光层是以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳的立方型SnSeZnSeSnSeZnSe多阱核壳量子阱； 所述基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件的制备方法包括以下步骤： 1将ITO导电玻璃分别使用去离子水、丙酮、异丙醇清洗15-25min，并在一定温度下用氮气烘干； 2在手套箱中将PEDOT:PSS溶液用旋涂机旋涂在步骤1的ITO导电玻璃上，然后将导电玻璃片放入加热台上进行退火； 3将TFB溶于甲苯溶液，然后在手套箱中将溶液用旋涂机旋涂在步骤2的导电玻璃片上，然后将导电玻璃片放入加热台上进行退火； 4在手套箱中将立方型SnSeZnSeSnSeZnSe多阱核壳量子阱溶液用旋涂机旋涂在步骤3的导电玻璃片上，然后将导电玻璃片放入加热台上进行退火； 5在手套箱中将Zn0.85Mg0.15O溶液用旋涂机旋涂在步骤4的导电玻璃片上，然后将导电玻璃片放入加热台上进行退火； 6将步骤5得到的导电玻璃片使用热蒸镀机蒸镀电极，即得到基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件； 步骤2中所述PEDOT:PSS溶液先经过0.45μm的过滤头过滤，退火温度为100-120℃，环境条件是在氧气和水均小于1ppm的氮气气氛的手套箱中，退火时间为20-30min； 步骤3中所述TFB溶液浓度为8-10mgml，退火温度为160-200℃，环境条件是在氧气和水均小于1ppm的氮气气氛的手套箱中，退火时间为15-30min。

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