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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115841829B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210231081.0，技术领域涉及：G11C11/40；该发明授权半导体存储装置及其控制方法是由奥山清设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供长寿命的半导体存储装置及其控制方法。实施方式的半导体存储装置具备：存储晶体管；晶体管，与存储晶体管的栅电极电连接；电压供给线，经由晶体管而与存储晶体管的栅电极电连接；信号供给线，连接于晶体管的栅电极；电容器，以不经由晶体管的方式与存储晶体管的栅电极电连接；及布线，经由电容器而连接于存储晶体管的栅电极与晶体管之间的电流路径。在对于存储晶体管的写入动作的第1定时下，电压供给线的电压是第1电压，信号供给线的电压是第2电压，布线的电压是第3电压。在第2定时下，信号供给线的电压下降为第4电压。在第3定时下，布线的电压上升为第5电压。

本发明授权半导体存储装置及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 半导体基板； 多个第1导电层，在与所述半导体基板的表面交叉的第1方向上排列； 第1半导体柱，在所述第1方向上延伸，与所述多个第1导电层相对； 第1电荷蓄积膜，设置于所述多个第1导电层与所述第1半导体柱之间； 将所述多个第1导电层中的一个第1导电层设为栅电极、且将所述第1半导体柱设为沟道区域的第1存储晶体管； 第1晶体管，与所述第1存储晶体管的栅电极电连接； 第1电压供给线，经由所述第1晶体管而与所述第1存储晶体管的栅电极电连接； 第1信号供给线，与所述第1晶体管的栅电极电连接； 第1电容器，以不经由所述第1晶体管的方式与所述第1存储晶体管的栅电极电连接；及 第1布线，经由所述第1电容器而连接于所述第1存储晶体管的栅电极与所述第1晶体管之间的电流路径， 所述多个第1导电层包括作为所述第1电容器的一方的电极发挥功能的部分， 在对于所述第1存储晶体管的写入动作的第1定时下，所述第1电压供给线的电压是第1电压，所述第1信号供给线的电压是第2电压，所述第1布线的电压是第3电压， 在对于所述第1存储晶体管的写入动作的比所述第1定时靠后的第2定时下，所述第1信号供给线的电压从所述第2电压下降为比所述第2电压小的第4电压， 在对于所述第1存储晶体管的写入动作的比所述第2定时靠后的第3定时下，所述第1布线的电压从所述第3电压上升为比所述第3电压大的第5电压。

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