华为技术有限公司朱千明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利鳍式场效应管、ESD保护电路、滤波电路以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115917744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103261.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权鳍式场效应管、ESD保护电路、滤波电路以及电子设备是由朱千明设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍式场效应管、ESD保护电路、滤波电路以及电子设备在说明书摘要公布了：一种鳍式场效应管、ESD保护电路、滤波电路以及电子设备，该鳍式场效应管FinFET，包括：一个或多个并列排布的鳍、多个有效栅极G1,G2,G3、第一冗余多晶硅P1；该一个或多个鳍均沿第一方向延伸，该多个有效栅极G1,G2,G3、该第一冗余多晶硅P1均沿着第二方向延伸并覆盖于该一个或多个列排布的鳍Fin的表面上；该第一冗余多晶硅P1位于该多个有效栅极G1,G2,G3的一侧，该多个有效栅极G1,G2,G3中的每个有效栅极G1,G2,G3两侧的鳍分别为FinFET的源极端和漏极端；该多个有效栅极G1,G2,G3耦合到FinFET的栅极端；该第一冗余多晶硅P1耦合于FinFET的栅极端和电阻电位端之间。上述FinFET，充分利用冗余多晶硅，以冗余多晶硅作为电阻，减少电阻的占用面积，使芯片更加小型化。
本发明授权鳍式场效应管、ESD保护电路、滤波电路以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效应管FinFET，其特征在于，包括： 一个或多个并列排布的鳍、多个有效栅极、第一冗余多晶硅； 所述一个或多个鳍均沿第一方向延伸，所述多个有效栅极、所述第一冗余多晶硅均沿着第二方向延伸并覆盖于所述一个或多个列排布的鳍的表面上； 所述第一冗余多晶硅位于所述多个有效栅极的一侧，所述多个有效栅极中的每个有效栅极两侧的鳍分别耦合所述鳍式场效应管的源极端和漏极端； 所述多个有效栅极耦合到所述鳍式场效应管的栅极端； 所述第一冗余多晶硅耦合于所述鳍式场效应管的栅极端与电阻电位端之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司，其通讯地址为：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励