绍兴中芯集成电路制造股份有限公司徐希锐获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种MEMS器件及其制备方法、电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115924838B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211694847.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS器件及其制备方法、电子装置是由徐希锐;刘金磊;艾俊设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：提供基底，在基底上形成有第一牺牲层，在第一牺牲层上形成有振膜，在振膜上形成有第二牺牲层；在第二牺牲层上形成界面层；在第二牺牲层和界面层上形成第三牺牲层；在第三牺牲层上形成背板层，背板层中形成有释放孔；去除部分第二牺牲层和部分第三牺牲层，以形成空腔，使部分背板层悬置于振膜上方；在基底的第二表面形成背腔。本发明的方法通过设置界面层，在刻蚀时减少对于界面处材料的刻蚀损伤，从而改善界面性质，进而减少界面处裂缝。
本发明授权一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基底，在所述基底的第一表面上形成有第一牺牲层，在所述第一牺牲层上形成有振膜，在所述振膜上形成有第二牺牲层； 在所述第二牺牲层的表面上形成界面层，所述界面层覆盖所述第二牺牲层的外周边缘区域； 在所述第二牺牲层和所述界面层上形成第三牺牲层； 在所述第三牺牲层的表面上形成背板层，所述背板层中形成有露出所述第三牺牲层的部分表面的释放孔； 去除部分所述第二牺牲层和部分所述第三牺牲层，以在所述背板层和所述振膜之间形成空腔，使部分所述背板层悬置于所述振膜上方； 在所述基底的第二表面形成背腔，其中，所述第二表面和所述第一表面相背，所述背腔自所述基底的所述第二表面贯穿所述基底以及所述第一牺牲层并露出所述振膜的部分表面。
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