飞锃半导体(上海)有限公司三重野文健获国家专利权
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龙图腾网获悉飞锃半导体(上海)有限公司申请的专利一种具有沟槽栅极的半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310088978.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种具有沟槽栅极的半导体器件及其形成方法是由三重野文健;周永昌设计研发完成，并于2023-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有沟槽栅极的半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种具有沟槽栅极的半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和第二表面，所述半导体衬底的第一表面形成有外延层，所述外延层中形成有沟槽栅极，所述沟槽栅极两侧的外延层中形成有源区；隔离结构，位于所述半导体衬底的第二表面且位于所述沟槽栅极两侧的半导体衬底中；漏极金属，位于所述半导体衬底的第二表面，所述源区、沟槽栅极和漏极金属构成所述半导体器件的MOSFET结构。本申请提供一种具有沟槽栅极的半导体器件及其形成方法，可以防止相邻沟槽栅极之间的漏电流，控制电场以及电子路径，提高器件可靠性。
本发明授权一种具有沟槽栅极的半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种具有沟槽栅极的半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和第二表面，所述半导体衬底的第一表面形成有外延层，所述外延层中形成有沟槽栅极，所述沟槽栅极两侧的外延层中形成有源区； 在所述半导体衬底的第二表面形成位于所述沟槽栅极两侧的半导体衬底中的隔离沟槽，所述隔离沟槽不延伸至所述外延层中； 在所述隔离沟槽中形成隔离结构，所述沟槽栅极延伸至所述隔离结构之间的半导体衬底中，所述隔离结构用于隔离所述沟槽栅极的底部； 在所述半导体衬底的第二表面形成漏极金属，所述源区、沟槽栅极和漏极金属构成所述半导体器件的MOSFET结构。
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