无锡华润华晶微电子有限公司杨洋获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润华晶微电子有限公司申请的专利半导体器件的封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111455893.5，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体器件的封装结构及其封装方法是由杨洋;邱松设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的封装结构及其封装方法，应用于半导体技术领域。这种封装结构具体由芯片、制造在芯片正反面上的多个TSV通孔以及芯片背面的保护层组成；具体通过在有源区对应的芯片背面开设多个第一TSV半通孔，并在非有源区对应的芯片中开设有多个第二TSV通孔，以通过所述第二TSV通孔将所述非有源区对应的芯片背面和正面连通，之后，再在其中填充导电层，以形成将设置在所述有源区对应的芯片背面的电极电性连接至该芯片正面的非有源区的第一导电柱体和第二导电柱体，从而实现了通过导电柱体将芯片背面的电极从芯片内部引至芯片正面，无需传统的引线键合工艺，进而降低了封装结构的封装电阻和寄生电感，并提高了封装结构的散热能力。
本发明授权半导体器件的封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的封装结构，其特征在于，包括： 多个芯片，每个所述芯片均包括有源区和非有源区，所述有源区对应的芯片背面开设有多个第一TSV半通孔，所述非有源区对应的芯片中开设有多个第二TSV通孔，以通过所述第二TSV通孔将所述非有源区对应的芯片背面和正面连通； 导电层，所述导电层填满每一所述第一TSV半通孔和第二TSV通孔，以形成第一导电柱体和第二导电柱体，并通过所述第一导电柱体和所述第二导电柱体将设置在所述有源区对应的芯片背面的电极电性连接至该芯片正面的非有源区，且所述导电层延伸覆盖在所述芯片的背面的整个表面上和所述芯片的正面的部分表面上； 保护层，所述保护层设置在所述芯片背面覆盖的导电层的表面上。
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