绍兴中芯集成电路制造股份有限公司王俊力获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116242525B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211722067.7，技术领域涉及：G01L7/08；该发明授权一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置是由王俊力设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置，所述方法包括：提供第一衬底和第二衬底，第一衬底包括第一基底层、第一绝缘层和第一敏感膜层，第一敏感膜层中设置有第一压敏电阻，第二衬底包括第二基底层、第二绝缘层和第二敏感膜层，在第二敏感膜层中形成有空腔；将第二衬底与第一衬底相接合；对第二衬底进行减薄处理；在第二敏感膜层中形成第二压敏电阻；刻蚀第一衬底以形成背腔并露出第一敏感膜层。本发明的方法通过将不同量程的敏感膜层集成到单个芯片上，降低了生产成本，促进了多量程MEMS压力传感器的应用。
本发明授权一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置在权利要求书中公布了：1.一种MEMS压力传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括依次层叠的第一基底层、第一绝缘层和第一敏感膜层，在所述第一敏感膜层上设置有多个第一压敏电阻，所述第二衬底包括依次层叠的第二基底层、第二绝缘层和第二敏感膜层，在所述第二敏感膜层中形成有空腔； 将所述第二衬底形成有所述空腔的一侧与所述第一衬底的第一敏感膜层的一侧相接合； 对所述第二衬底进行减薄处理，以露出所述第二敏感膜层； 在所述第二敏感膜层与所述空腔对应的部分区域上形成多个第二压敏电阻； 刻蚀所述第一基底层和所述第一绝缘层，以形成背腔并露出所述第一敏感膜层，多个所述第一压敏电阻和所述背腔相对应，其中，与所述空腔对应的第二敏感膜层具有和所述背腔对应的所述第一敏感膜层不同的厚度。
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