福州大学杨开宇获国家专利权
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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种转移印刷制备高分辨全彩QLED器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118647248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410774409.2，技术领域涉及：H10K71/18；该发明授权一种转移印刷制备高分辨全彩QLED器件的方法是由杨开宇;郑鸿熙;李福山;胡海龙;林立华设计研发完成，并于2024-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种转移印刷制备高分辨全彩QLED器件的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种转移印刷制备高分辨全彩QLED器件的方法，其全彩发光层的制备过程为：先使用小周期的条状PDMS模板通过转印技术在水平和垂直方向各转印一次阻挡层材料以形成网格状阻挡层，再使用两倍于小周期的的大周期条状PDMS模板在水平和垂直方向分别转印第一量子点和第二量子点，最后旋涂第三量子点，得到高分辨全彩发光层。可以实现高分辨全彩QLED器件中红、绿、蓝三种量子点的像素分离和精确定位，提高器件的色彩饱和度和显示效果。本专利方法简单、高效，并可广泛应用于显示器、光电子器件等领域。
本发明授权一种转移印刷制备高分辨全彩QLED器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种转移印刷制备高分辨全彩QLED器件的方法，其特征在于： 全彩发光层的制备过程为： 首先使用小周期条状PDMS模板通过转印技术在基板上的水平和垂直方向各转印一次阻挡层材料，形成网格状阻挡层； 然后使用两倍于小周期的大周期条状PDMS模板通过转印技术在基板上水平方向转印第一量子点； 再使用大周期条状PDMS模板通过转印技术在上一步骤处理后的基板上垂直方向转印第二量子点；最后在所得基板上使用溶液加工方法制备第三量子点发光层； 经过退火和固化处理，得到稳定的高分辨全彩量子点发光层结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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