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龙图腾网获悉安世有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411263281.X，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体器件是由汉斯-马丁·里特;弗兰克·布尔迈斯特设计研发完成，并于2019-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件结构和制造半导体器件的方法。该方法包括：提供具有第一主表面和相对的第二主表面的第一半导体衬底，第一主表面上形成有第一金属层；提供具有第一主表面和相对的第二主表面的第二半导体衬底，其中第二半导体衬底包括形成在其中的多个有源器件区域和第二金属层，所述第二金属层形成在第一主表面上、连接多个有源器件区域中的每一个；将第一半导体衬底的第一金属层接合到第二半导体衬底的第二金属层；以及在第二半导体衬底的第二主表面上形成器件接触件，以用于电连接至多个有源器件区域中的每一个。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 提供具有第一主表面和相对的第二主表面的第一半导体衬底，所述第一主表面上直接形成有第一金属层； 提供具有第一主表面和相对的第二主表面的第二半导体衬底，其中所述第二半导体衬底包括形成在其中的多个有源器件区域和连续的第二金属层，所述第二金属层直接形成在第一主表面上、并横向跨越整个半导体器件的整个宽度以连接所述多个有源器件区域中的每一个；将所述第一半导体衬底的所述第一金属层直接接合到所述第二半导体衬底的所述第二金属层以形成设置在两个半导体层之间的掩埋金属层，所述掩埋金属层被配置为使得垂直于表面的电流分布是均匀的，并且在所述器件的整个区域上每个区域的电流密度相同；以及 在所述第二半导体衬底的第二主表面上形成多个器件接触件以用于电连接至所述多个有源器件区域中的每一个，使得从所述多个器件接触件中的任何一个器件接触件输入的电流将流过所述多个有源器件区域中的相应一个有源器件区域、进入所述掩埋金属层并沿所述掩埋金属层横向流动、流出所述掩埋金属层、然后流过所述多个有源器件区域中的另一个有源器件区域以达到所述多个器件接触件中与所述另一个有源器件区域相应的另一个器件接触件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安世有限公司，其通讯地址为：荷兰奈梅亨；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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