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龙图腾网获悉浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种优化集成电路离子注入工艺参数的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119227537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411352027.7，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权一种优化集成电路离子注入工艺参数的方法是由龚涛;方文章;马奕涛;綦殿禹;倪东;王春亚;高大为设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种优化集成电路离子注入工艺参数的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种优化集成电路离子注入工艺参数的方法，包括以下步骤：利用SentaurusTCAD软件的SentaurusProcess对CMOS器件的前段工艺进行仿真，改变其中Halo离子注入步骤中的工艺参数，得到仿真CMOS器件；然后利用该软件中的SentaurusDevice对仿真CMOS器件的电学性质进行数值求解，得到电学数据；利用工艺参数和电学数据对残差神经网络模型进行训练、验证和测试，优化残差神经网络模型参数，最后得到优化的工艺参数。本发明方法不仅提升了离子注入工艺参数的优化效率和精度，还通过深度学习算法和TCAD仿真技术的结合，实现了工艺优化的自动化和智能化。

本发明授权一种优化集成电路离子注入工艺参数的方法在权利要求书中公布了：1.一种优化集成电路离子注入工艺参数的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 步骤S1、利用SentaurusTCAD软件的工艺仿真模块对CMOS器件的前段工艺进行仿真，所述前段工艺包括以下步骤：衬底初始化、形成浅槽隔离、PN型阱注入、生长栅氧和多晶硅栅、生长第一层侧墙、LDD离子注入、Halo离子注入、生长第二层侧墙与源漏离子注入、金属硅化物形成源漏接触；改变Halo离子注入步骤中的工艺参数，得到仿真CMOS器件；所述工艺参数为注入角度、注入能量和注入剂量； 步骤S2、利用SentaurusTCAD软件的器件仿真模块获取步骤S1所得仿真CMOS器件的电学数据；所述电学数据为器件阈值电压Vth、亚阈值电压摆幅SS、饱和电流Idsat、漏电流Ioff、最大跨导Gm、线性区电阻Rlin和饱和区电阻Rsat； 步骤S3、对工艺参数和电学数据进行预处理并构建数据集，对数据集进行Z-score标准化，将其转换为均值为0，标准差为1的标准正态分布，然后划分为训练集、验证集和测试集； 步骤S4、构建残差神经网络模型，利用数据集对残差神经网络模型进行训练、验证和测试，输出优化后的Halo离子注入步骤中的工艺参数；所述残差神经网络模型采用ResNet18模型，输入为电学数据，输出为Halo离子注入步骤中的工艺参数。

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