深圳市振华微电子有限公司马青峰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市振华微电子有限公司申请的专利一种可变感量的反激变压器结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119650258B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411530659.8,技术领域涉及:H01F27/24;该发明授权一种可变感量的反激变压器结构是由马青峰;贾山;王治国;付春雷;李伯荣设计研发完成,并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可变感量的反激变压器结构在说明书摘要公布了:本申请提供了一种可变感量的反激变压器结构,包括反激变压器主体,反激变压器主体的中部外包上设置有磁芯,磁芯的中部内壁上固定安装有主绕组,磁芯一侧边柱外壁上套装有副绕组,磁芯另一侧边柱外壁上开设有高低气隙;本申请阶梯气隙或斜坡气隙是设置,当磁芯接近饱和时,电感值减小;利用阶梯气隙或斜坡气隙,使磁芯中的饱和效应由气隙较窄侧开始逐渐向较宽侧推进,可以实现在低压输入的情况下,磁动势大,则饱和向较宽处推进比较大,而减小了反激变压器的电感量;而在高压输入的情况下,反激变压器激励的磁动势比较小,气隙较窄侧处饱和或不饱和,这样反激变压器的感量减小甚至不会减小,实现了反激变压器结构可变感量的优化设计。
本发明授权一种可变感量的反激变压器结构在权利要求书中公布了:1.一种可变感量的反激变压器结构,其特征在于,包括反激变压器主体1,所述反激变压器主体1的主体上设置有磁芯2,所述磁芯2的中部内壁上固定安装有主绕组3,所述磁芯2一侧边柱外壁上套装有副绕组4,所述磁芯2另一侧边柱外壁上开设有高低气隙5,所述反激变压器主体1的底部外壁上固定有底座6,所述底座6顶部外壁上设置有隔音降噪组件7,所述底座6的两侧底部外壁上固定有固定板8,所述固定板8的顶部外壁上设置有调节安装孔组件9; 所述高低气隙5为阶梯气隙52和斜坡气隙51中的一种或多种; 所述调节安装孔组件9包括对称开设在所述固定板8顶部外壁上的移动槽901,所述移动槽901的内部均设置有移动块902,且移动块902的顶部外壁上均贯通开设有安装螺孔903,所述移动块902的两侧外壁上固定有滑块904,所述移动槽901的两侧内壁上开设有滑槽905,所述滑块904插接于滑槽905内部一端的外壁上贯通开设有传动螺孔906,所述传动螺孔906的内部贯通有转动轴907,且转动轴907的两端与滑槽905两端内壁转动连接,所述转动轴907的外壁上开设有第一螺纹908,且第一螺纹908和传动螺孔906螺合连接,所述转动轴907贯穿于固定板8外部的一端固定有手轮909,所述转动轴907的端部外壁上开设有第二螺纹910,且第二螺纹910的外壁上螺合连接有压持螺母911。
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