电子科技大学张铁笛获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于电感峰化与RLC负反馈技术的2-22GHz的超宽带低噪放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119675609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411720108.8，技术领域涉及：H03F1/42；该发明授权基于电感峰化与RLC负反馈技术的2-22GHz的超宽带低噪放大器是由张铁笛;陈子游设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于电感峰化与RLC负反馈技术的2-22GHz的超宽带低噪放大器在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于电感峰化与RLC负反馈技术的2‑22GHz的超宽带低噪放大器，应用于无线通信领域，本发明基于三安P15LN_LNApHMET晶体管设计并制造的工作在2‑22GHz的超宽带低噪声放大器GaAsMMIC在超宽带的工作频段内具有平滑的增益，优秀的噪声与线性度，输入输出均以标准的50欧姆匹配，占用面积较小，可以用于2‑22GHz内的各种射频前端，既可用于sub‑6GHz的无线通信应用，兼容多种通信协议；又可应用于毫米波频段诸如通信、相控阵雷达、毫米波成像、远距离遥感等多种情形。
本发明授权基于电感峰化与RLC负反馈技术的2-22GHz的超宽带低噪放大器在权利要求书中公布了：1.基于电感峰化与负反馈技术的2-22GHz的超宽带低噪放大器，其特征在于，采用单级共源共栅结构，包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2；第一晶体管M1的源极接地，第一晶体管M1的漏极接第二晶体管M2的源极，第一晶体管M1的栅极经第一电容C1接射频信号输入端，第二晶体管M2的栅极经电容C4接地；第二晶体管M2的漏极经第二电感L2与第二电阻R2的并联结构后接射频信号输出端； 第一晶体管M1的栅极经第一电阻R1接入直流偏置；第二晶体管M2的栅极通过电阻分压接入直流偏置；电阻分压具体结构为：包括串联的第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8；其中第五电阻R5接VDD，第八电阻R8接地；第八电阻R8上的分压作为第二晶体管M2的直流偏置； 第二电感L2与第二电阻R2的并联结构与射频信号输出端连接的这一端还经并联峰化电感L1接VDD； 第二电感L2与第二电阻R2的并联结构还与第二电容C2、第三电阻R3构成串联RLC负反馈结构；该串联RLC负反馈结构另一端连接第一晶体管M1的栅极。
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