华南理工大学魏嫣莹获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种具有梯级孔的MXene膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119680402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510107120.X，技术领域涉及：B01D71/02；该发明授权一种具有梯级孔的MXene膜及其制备方法与应用是由魏嫣莹;王宇飞;罗米得;卢纵设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有梯级孔的MXene膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有梯级孔的MXene膜及其制备方法与应用，属于分离膜材料技术领域，该具有梯级孔的MXene膜，除基底外，由下至上依次还包括：超大孔MXene膜层，厚度为0‑30nm，孔径为2‑5nm；大孔MXene膜层，厚度为0‑30nm，孔径为0.9‑1.2nm；中孔MXene膜层，厚度为20‑50nm，孔径为0.6‑0.8nm；小孔MXene膜层，厚度为40‑60nm，孔径为0.3‑0.5nm。即本发明通过重复旋涂和等离子辐照，限定辐照时间，制备得到具有梯级孔的MXene膜，利用其丰富的梯级孔通道使该膜对气体同时具有高渗透性和高选择性。
本发明授权一种具有梯级孔的MXene膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种具有梯级孔的MXene膜，其特征在于，除基底外，由下至上依次包括： 超大孔MXene膜层，厚度为0-30nm，孔径为2-5nm； 大孔MXene膜层，厚度为0-30nm，孔径为0.9-1.2nm； 中孔MXene膜层，厚度为20-50nm，孔径为0.6-0.8nm； 小孔MXene膜层，厚度为40-60nm，孔径为0.3-0.5nm； 其中，MXene膜层的整体厚度为100nm。
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