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龙图腾网获悉松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所申请的专利一种压电式MEMS加速度计的感应电压调值方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119873738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510250293.7，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种压电式MEMS加速度计的感应电压调值方法是由徐文俊;汪洋;丁国建;王晓晖;冯琦;于萍;王世卓荦;贾海强;陈弘设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压电式MEMS加速度计的感应电压调值方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种压电式MEMS加速度计的感应电压调值方法，在压电式MEMS加速度计的制备工艺完成后，通过刻蚀上电极的方式来微调各悬梁结构的电容值，使悬梁结构的感应电压值与标准值一致，克服了芯片内部的天然不一致性，避免加速度计各悬臂之间的感应电压差异，避免同批次不同器件之间的感应电压差异，无需对外接电压放大器进行调校，降低外围匹配电路的调校难度，简化匹配电路，并且易于生产制造。

本发明授权一种压电式MEMS加速度计的感应电压调值方法在权利要求书中公布了：1.一种压电式MEMS加速度计的感应电压调值方法，其特征在于，包括： 所述压电式MEMS加速度计制备完成之后，刻蚀上电极，改变悬梁结构的电容值，使所述悬梁结构的感应电压值与标准值一致；其中，所述压电式MEMS加速度计包括振动敏感结构、框架结构和悬梁结构；所述悬梁结构的上电极靠近所述框架结构设置； 所述刻蚀所述上电极，包括： 在感应电压测量值与感应电压标准值的差值V'小于0的情况下，刻蚀所述上电极的第一刻蚀区域，或刻蚀所述上电极的第二刻蚀区域； 在感应电压测量值与感应电压标准值的差值V'大于0的情况下，刻蚀所述上电极的第一刻蚀区域； 其中，所述第一刻蚀区域为：所述上电极靠近所述振动敏感结构的第一侧到所述悬梁结构与框架结构的连接处；感应电压测量值与感应电压标准值的差值V'越大，则刻蚀所述上电极的位置，为所述第一刻蚀区域越靠近所述连接处的位置；V'越小，则刻蚀所述上电极的位置，为所述第一刻蚀区域越靠近所述第一侧的位置； 所述第二刻蚀区域为：所述悬梁结构与框架结构的连接处到所述上电极远离所述振动敏感结构的第二侧； 其中，V'=V1-V0；V1为感应电压的测量值，V0为感应电压的标准值。

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