新存科技(武汉)有限责任公司金玉洁获国家专利权
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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利存储阵列的修复方法及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119889407B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411869509.X，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权存储阵列的修复方法及存储器是由金玉洁;游思成;严飞飞;徐丽设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储阵列的修复方法及存储器在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储阵列的修复方法及存储器，存储阵列的修复方法包括：对存储阵列中的多条控制线执行漏电测试，得到第一测试结果，第一测试结果包括每条控制线的漏电表征值，漏电表征值用于表征对应控制线的漏电电流值是否大于漏电阈值；对存储阵列中的多个存储单元执行单元开启测试，得到第二测试结果，第二测试结果包括每条控制线上漏电单元的数量；基于第一测试结果和第二测试结果，得到替换地址；采用冗余地址对替换地址进行修复，冗余地址为冗余阵列对应的控制线地址；采用冗余地址对替换地址进行修复，冗余地址为冗余阵列对应的控制线地址。本申请提供的存储阵列的修复方法旨在提高存储器中冗余资源的利用率。
本发明授权存储阵列的修复方法及存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储阵列的修复方法，其特征在于，包括： 对所述存储阵列中的多条控制线执行漏电测试，得到第一测试结果，所述第一测试结果包括每条控制线的漏电表征值，所述漏电表征值用于表征对应所述控制线的漏电电流值是否大于漏电阈值； 对所述存储阵列中的多个存储单元执行单元开启测试，得到第二测试结果，所述第二测试结果包括每条所述控制线上漏电单元的数量； 基于所述第一测试结果和所述第二测试结果，得到替换地址；所述替换地址包括第一地址，或所述替换地址包括第一地址和第二地址； 采用冗余地址对所述替换地址进行修复，所述冗余地址为冗余阵列对应的控制线地址；所述采用冗余地址对所述替换地址进行修复的方法包括：采用所述冗余地址完成所述第一地址的修复之后，采用剩余所述冗余地址完成所述第二地址的修复。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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