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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利气相沉积系统、热膨胀测量方法以及测量工艺间隙的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119932526B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311444147.5，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权气相沉积系统、热膨胀测量方法以及测量工艺间隙的方法是由庄宇峰;吕术亮;董维;谢忠帅;李远设计研发完成，并于2023-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本气相沉积系统、热膨胀测量方法以及测量工艺间隙的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种加热器的热膨胀量测量方法，包括步骤：第一温度下，通过高度调节组件逐渐缩小晶圆与加热器的间距，过程中保持抽气管道抽气并实时记录抽气管道出口处的气压值，当该气压值趋于稳定时，获取第一温度下第一气压值到达第一饱和点时对应的所述高度调节组件的第一位置；第二温度下，重复上述步骤，当抽气管道出口处的气压值趋于稳定时，获取第二温度下第二气压值到达第二饱和点时对应的所述高度调节组件的第二位置；计算所述第一位置和第二位置的差值，得到所述加热器在第一温度和第二温度之间的竖直方向热膨胀量；该方法操作简单、测量结果精确，无需改变反应腔的内部结构，也不会影响反应腔内的热场分布。

本发明授权气相沉积系统、热膨胀测量方法以及测量工艺间隙的方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜气相沉积系统，包含：反应腔，设置在所述反应腔内的气体喷淋头，与所述气体喷淋头相对设置的加热器，用于承载晶圆；所述加热器内还设置有抽气管道，所述抽气管道上设置一气压检测装置，所述抽气管道用于抽吸所述加热器的上表面和所述晶圆下表面之间的气体；高度调节组件，用于调节所述晶圆与所述加热器的间距；其特征在于，还包括：控制器，所述控制器用于记录并存储所述加热器在第一温度和第二温度之间的竖直方向热膨胀量，并控制所述高度调节组件补偿所述热膨胀量带来的所述气体喷淋头的下表面和所述加热器的上表面之间的工艺间隙的变化； 所述控制器还用于执行如下步骤： 第一温度下，通过所述高度调节组件逐渐缩小晶圆与加热器的间距，过程中通过所述抽气管道抽气并实时记录所述气压检测装置的第一气压值，并获取 第一温度下所述第一气压值到达第一饱和点时对应的所述高度调节组件的第一位置； 第二温度下，通过所述高度调节组件逐渐缩小晶圆与加热器的间距，过程中通过所述抽气管道抽气并实时记录所述气压检测装置的第二气压值，并获取第二温度下所述第二气压值到达第二饱和点时对应的所述高度调节组件的第二位置； 计算所述第一位置和第二位置的差值，得到所述加热器在第一温度和第二温度之间的竖直方向热膨胀量。

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