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龙图腾网获悉深圳市硅格半导体有限公司申请的专利一种控制电压门槛的电压偏移值确定方法、装置及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120032676B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411988623.4，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权一种控制电压门槛的电压偏移值确定方法、装置及设备是由萧又华;李明豪设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种控制电压门槛的电压偏移值确定方法、装置及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种控制电压门槛的电压偏移值确定方法、装置及设备，其方法包括：根据非易失性存储器的芯片类型确定页面中各存储单元分别对应的控制电压门槛；利用初始电压偏移值设置各控制电压门槛，并确定与页面对应的初始参考值；按照轮询方式从各控制电压门槛中确定目标控制电压门槛，利用预设电压偏移值设置目标控制电压门槛，利用初始电压偏移值设置其他控制电压门槛，并确定与页面对应的调整参考值；若调整参考值小于初始参考值，则确定目标控制电压门槛为预设电压偏移值；否则，则将目标控制电压门槛设置为前一次迭代搜寻优化操作中确定的预设电压偏移值；然后返回执行迭代搜寻优化操作。本方法能够高效确定出控制电压门槛的电压偏移值。

本发明授权一种控制电压门槛的电压偏移值确定方法、装置及设备在权利要求书中公布了：1.一种控制电压门槛的电压偏移值确定方法，其特征在于，所述方法包括： 根据非易失性存储器的芯片类型确定页面中各存储单元分别对应的控制电压门槛； 利用初始电压偏移值设置各所述控制电压门槛，并确定与所述页面对应的初始参考值； 按照轮询方式从各所述控制电压门槛中确定目标控制电压门槛，利用预设电压偏移值设置所述目标控制电压门槛，利用所述初始电压偏移值设置其他控制电压门槛，并确定与所述页面对应的调整参考值；所述其他控制电压门槛为各所述控制电压门槛中除所述目标控制电压门槛之外的控制电压门槛；所述确定与所述页面对应的调整参考值，包括：基于所述预设电压偏移值和所述初始电压偏移值对所述页面中对应的存储单元进行数据读取操作，获取各所述存储单元的实际电压阈值；根据所述实际电压阈值和所述预设电压偏移值的大小关系，确定存储单元状态；根据各所述存储单元状态确定与所述页面对应的调整参考值； 若所述调整参考值小于所述初始参考值，则确定所述目标控制电压门槛为所述预设电压偏移值，并返回所述按照轮询方式从各所述控制电压门槛中确定目标控制电压门槛，利用预设电压偏移值设置所述目标控制电压门槛，利用所述初始电压偏移值设置其他控制电压门槛，并确定与所述页面对应的调整参考值的步骤； 若所述调整参考值大于所述初始参考值，则将所述目标控制电压门槛设置为前一次迭代搜寻优化操作中确定的所述预设电压偏移值，并返回所述按照轮询方式从各所述控制电压门槛中确定目标控制电压门槛，利用预设电压偏移值设置所述目标控制电压门槛，利用所述初始电压偏移值设置其他控制电压门槛，并确定与所述页面对应的调整参考值的步骤。

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