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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种基于改进ViT模型的电离层超分辨率精化重建方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120219168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510286920.2，技术领域涉及：G06T3/4053；该发明授权一种基于改进ViT模型的电离层超分辨率精化重建方法、装置、设备及存储介质是由张良;胡茂华;姚宜斌;王容;陈星设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于改进ViT模型的电离层超分辨率精化重建方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于改进ViT模型的电离层超分辨率精化重建方法、装置、设备及存储介质，涉及电离层建模技术领域，其包括获取待测时间段内电离层TEC数据和VTEC数据；将所述电离层TEC数据作为低分辨率图像，所述VTEC数据作为像元真实值，并根据像元真实值是否包括观测值生成掩膜图层；将低分辨率图像、像元真实值以及掩膜图层合并得到多通道张量；将多通道张量作为输入，基于改进ViT模型输出得到全球电离层地图。本发明将ViT应用于电离层的超分辨率重建中，能够有效降低对地面站点数量的依赖，克服图像过度光滑的缺点，同时可以提高电离层图像的空间分辨率，进而改善电离层模型的精度。

本发明授权一种基于改进ViT模型的电离层超分辨率精化重建方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基于改进ViT模型的电离层超分辨率精化重建方法，其特征在于，包括： 获取待测时间段内电离层TEC数据和VTEC数据； 将所述电离层TEC数据作为低分辨率图像，所述VTEC数据作为像元真实值，并根据像元真实值是否包括观测值生成掩膜图层； 将低分辨率图像、像元真实值以及掩膜图层合并得到多通道张量； 将多通道张量作为输入，基于改进ViT模型输出得到全球电离层地图； 所述改进ViT模型基于ViT模型改进得到，所述ViT模型包括依次连接的单通道输入层、图像特征嵌入模块、Transformer编码器、MLP分类模块和输出层，将所述单通道输入层替换为多通道输入层，所述MLP分类模块替换为上采样模块，得到所述改进ViT模型； 所述Transformer编码器包括多个Transformer编码层，每个所述Transformer编码层用于将像元真实值和掩膜图层作为附加通道信息，并利用附加通道信息作为权重通过多头自注意力机制动态调整全局信息捕捉得到低分辨率特征； 所述上采样模块包括依次连接的上采样单元和卷积层，所述上采样单元采用反卷积层或像素重组，所述上采样模块用于将低分辨率特征映射到高分辨率图像。

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