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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种基于离子迁移与注入特性的电场传感器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120446609B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510641040.2，技术领域涉及：G01R29/12；该发明授权一种基于离子迁移与注入特性的电场传感器制备方法是由赵孝磊;李陆明;尹毅;于凯;蒋莉梅;赵谡;王亚林;吴建东设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于离子迁移与注入特性的电场传感器制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于离子迁移与注入特性的电场传感器制备方法，涉及电场传感器技术领域。所述方法包括：选定聚合物基体材料和离子电解质，并基于选定的聚合物基体材料和离子电解质进行微观结构调控、成膜过程调控以及表面改性，制备得到固态聚合物电解质；选定有机半导体材料，并基于选定的有机半导体材料进行材料亲水或疏水特性调控，制备得到有机半导体；在所述固态聚合物电解质和所述有机半导体之间进行界面优化，并基于优化后的固态聚合物电解质和有机半导体制备具有设定检测范围的电场传感器；所述界面优化用于增加离子注入和迁移效率。本发明能够实现对不同频率、不同幅值和不同范围电场的测量，并确保传感器能保持高效的响应和稳定性。

本发明授权一种基于离子迁移与注入特性的电场传感器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于离子迁移与注入特性的电场传感器制备方法，其特征在于，包括： 选定聚合物基体材料和离子电解质，并基于选定的所述聚合物基体材料和所述离子电解质进行微观结构调控、成膜过程调控以及表面改性，制备得到固态聚合物电解质； 选定有机半导体材料，并基于选定的所述有机半导体材料进行材料亲水或疏水特性调控，制备得到有机半导体； 在所述固态聚合物电解质和所述有机半导体之间进行界面优化，并基于优化后的固态聚合物电解质和有机半导体制备具有设定检测范围的电场传感器；所述界面优化用于增加离子注入和迁移效率； 所述成膜过程调控包括通过调整成膜过程的参数，对聚合物电解质的结晶特性和分子堆积结构进行调控；所述成膜过程至少包括溶剂和退火； 所述界面优化包括： 界面自组装层：通过自组装方法，在聚合物电解质与有机半导体之间形成有序的分子层或纳米层，通过分子间氢键优化电解质与有机半导体之间的界面接触； 界面化学修饰：通过化学接枝或共价键合，将高电导性材料或亲水性分子附着在聚合物电解质与有机半导体之间的界面上，以提高电荷和离子的传导速率，减少电场响应的迟滞现象；所述高电导性材料包括PEDOT:PSS或银纳米线；所述亲水性分子包括PEI或PVA； 界面增强层：在聚合物电解质与有机半导体之间的界面上涂覆聚乙烯亚胺或聚乙烯醇薄膜，增加离子在界面处的积聚能力，提高离子注入的效率。

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