杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利具有改进栅极氧化层可靠性的碳化硅SiCMOSFET器件及制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120603294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511106164.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权具有改进栅极氧化层可靠性的碳化硅SiCMOSFET器件及制备工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有改进栅极氧化层可靠性的碳化硅SiCMOSFET器件及制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了具有改进栅极氧化层可靠性的碳化硅SiCMOSFET器件，所述碳化硅SiCMOSFET器件由若干个相互并列的MOS元胞组成，所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、栅极、栅氧化层、源极，所述半导体外延层包括N衬底层、N扩散层、P+层、P阱层和N阱层，所述栅极与P阱层之间设有高K介质，其中高K介质的一侧且位于源极和N阱层之间设有掺杂多晶硅；所述高K介质为二氧化铪、氧化铝或二氧化锆中的一种。本发明通过高K介质与SiO₂栅氧化层的双层堆叠结构，利用高K材料的高介电常数分担栅压，显著降低SiO₂界面的电场强度，同时减少栅极漏电流两个数量级，从根本上抑制热载流子注入导致的栅氧层退化。
本发明授权具有改进栅极氧化层可靠性的碳化硅SiCMOSFET器件及制备工艺在权利要求书中公布了：1.具有改进栅极氧化层可靠性的碳化硅SiCMOSFET器件，所述碳化硅SiCMOSFET器件由若干个相互并列的MOS元胞组成，所述MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、栅极2、栅氧化层3、源极4，所述半导体外延层包括N衬底层5、N扩散层6、P+层7、P阱层8和N阱层9，其特征在于：所述栅极2与P阱层8之间设有高K介质11，其中高K介质11的一侧且位于源极4和N阱层9之间设有掺杂多晶硅10； 单个所述MOS元胞中栅极2的内部下方处设有多晶硅层12；该多晶硅层12为P型多晶硅或N型多晶硅中的一种。
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