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龙图腾网获悉深圳市星汉激光科技股份有限公司申请的专利一种半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120613643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511101374.7，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种半导体激光器及其制备方法是由周少丰;丁亮;吕天健;方子勋设计研发完成，并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体激光器及其制备方法，包括衬底、依次层叠在衬底一侧的第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层和第二限制层；脊波导层，形成在第二限制层的一侧；沿垂直于衬底的厚度方向，脊波导层与第二限制层形成第一刻蚀槽；钝化层，形成在第一刻蚀槽的槽壁；导电层，形成在钝化层的一侧；第一导电件形成在脊波导层的一侧，第二导电件形成在衬底背离第一导电件的一侧；第一导电件电连接导电层和脊波导层。当第一导电件和第二导电件与电源连接时，导电层中能形成电场，使得脊波导层中的载流子能远离脊波导层的侧壁，使脊波导层中的载流子更集中，进而提高载流子的注入效率，且能优化光场，提高半导体激光器的光束质量。

本发明授权一种半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括： 衬底100、第一限制层200、第一波导层300、有源区400、第二波导层500和第二限制层600；所述第一限制层200、所述第一波导层300、所述有源区400、所述第二波导层500和所述第二限制层600依次层叠形成在所述衬底100厚度方向的一侧； 脊波导层710，形成在所述第二限制层600背离所述衬底100的一侧；沿垂直于所述衬底100的厚度方向，所述脊波导层710的至少一侧与所述第二限制层600形成第一刻蚀槽720； 钝化层800，形成在所述第一刻蚀槽720的槽壁； 导电层900，形成在所述钝化层800背离所述脊波导层710和所述第二限制层600的一侧； 第一导电件711和第二导电件110，所述第一导电件711形成在所述脊波导层710背离所述衬底100的一侧，所述第二导电件110形成在所述衬底100背离所述第一导电件711的一侧；所述第一导电件711电连接所述导电层900和所述脊波导层710。

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