台湾积体电路制造股份有限公司余振华获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利芯片封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223527170U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422797637.X，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型芯片封装结构是由余振华;谢政杰;顾诗章;邵栋梁;孙诗平设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构在说明书摘要公布了：一种芯片封装结构，包含第一芯片结构，芯片封装结构包含散热基底，散热基底位于第一芯片结构上方，芯片封装结构包含第二芯片结构，第二芯片结构位于散热基底上方，第二芯片结构通过导电插塞结构电性连接至第一芯片结构，基底的第一热导率高于第二芯片结构的第三热导率，且散热基底直接接触第一芯片结构及第二芯片结构。
本实用新型芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括: 一第一芯片结构； 一散热基底，位于该第一芯片结构上方，其中该散热基底包括一基底及一导电插塞结构，该基底的一第一热导率高于该第一芯片结构的一第二热导率，该基底具有一第一表面及一第二表面，该导电插塞结构具有一第一接合垫部分、一第二接合垫部分及一导通孔部分，且该第一接合垫部分及该第二接合垫部分分别位于该第一表面及该第二表面上方；以及 一第二芯片结构，位于该散热基底上方，其中该第二芯片结构通过该导电插塞结构电性连接至该第一芯片结构，该基底的该第一热导率高于该第二芯片结构的一第三热导率，且该散热基底接触该第一芯片结构及该第二芯片结构。
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