湖北江城实验室杨展頔获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北江城实验室申请的专利一种半导体结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223527171U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422915583.2,技术领域涉及:H01L23/367;该实用新型一种半导体结构是由杨展頔;刘淑娟;彭昊阳;江仲开设计研发完成,并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构在说明书摘要公布了:本公开实施例公开了一种半导体结构,包括:基板,包括第一基板和位于第一基板上的第二基板;第一重分布层,位于第二基板上;芯片,位于第一重分布层上;导热层,位于第一基板和第二基板之间;导热柱,位于芯片下方,从第二基板的上表面延伸至导热层并与导热层连接。
本实用新型一种半导体结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,其特征在于,包括: 基板,包括第一基板和位于所述第一基板上的第二基板; 第一重分布层,位于所述第二基板上; 芯片,位于所述第一重分布层上; 导热层,位于所述第一基板和所述第二基板之间; 导热柱,位于所述芯片下方,从所述第二基板的上表面延伸至所述导热层并与所述导热层连接。
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