万国半导体国际有限合伙公司王震宇获国家专利权
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龙图腾网获悉万国半导体国际有限合伙公司申请的专利用于负载开关应用的MOSFET温度传感方法和电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116105883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211380701.3，技术领域涉及：G01K7/16；该发明授权用于负载开关应用的MOSFET温度传感方法和电路是由王震宇;印键;管灵鹏;习提彭·安格凯提特拉古;克里斯多夫·本·巴塞洛缪斯;王晓彬设计研发完成，并于2022-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于负载开关应用的MOSFET温度传感方法和电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于在半导体芯片中形成的功率晶体管的温度监测的方法和装置。设置在半导体芯片中的温度传感电阻器的一侧耦合到功率晶体管的电压输入侧。耦合到温度传感电阻器的第二侧的控制器被配置为检测电阻器两端的电压，并使用检测到的电压触发与温度相关的校正动作。
本发明授权用于负载开关应用的MOSFET温度传感方法和电路在权利要求书中公布了：1.一种用于监测形成在第一半导体芯片中功率晶体管温度的器件，包括： 一个位于所述第一半导体芯片中的温度传感电阻器，其中所述温度传感电阻的一侧在所述功率晶体管的电压输入侧耦合到所述功率晶体管； 一个耦合到所述温度传感电阻器的第二侧的控制器，其中所述控制器被配置为检测电阻器两端的电压并使用温度传感电阻两端的电压触发温度相关校正动作，其中，所述温度相关校正行为调节通过所述功率晶体管的电流。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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