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龙图腾网获悉华为数字能源技术有限公司申请的专利具有中空腔的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119032426B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380034503.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权具有中空腔的半导体器件是由吉尔伯托·库拉托拉设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有中空腔的半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件100，包括：半导体衬底110；形成于所述半导体衬底110上方的氮化铝镓AluminumGallium‑Nitride，AlGaN背势垒层121；形成于所述AlGaN背势垒层121上的GaN沟道层122，其中，二维空穴气体two‑dimensionalholegas，2DHG形成于所述GaN沟道层122和所述AlGaN背势垒层121之间的接触面123上；形成于所述半导体衬底110上方且紧邻所述GaN沟道层122和所述AlGaN背势垒层121的p型掺杂区101。所述p型掺杂区101用于为形成于所述GaN沟道层122和所述AlGaN背势垒层121之间的接触面123上的所述二维空穴气体提供欧姆接触。所述p型掺杂区101包括作为p型掺杂剂的镁。所述p型掺杂区101包括从所述p型掺杂区101的所述顶面101a延伸出来的一个或多个中空腔102。所述中空腔102用于形成氢原子的逃逸通道，其中，所述氢原子是在制造所述半导体器件100的过程中对所述p型掺杂区101进行掺杂剂活化时形成的。

本发明授权具有中空腔的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件100，其特征在于，所述半导体器件100包括： 半导体衬底110； 形成于所述半导体衬底110上方的氮化铝镓AluminumGallium-Nitride，AlGaN背势垒层121； 形成于所述AlGaN背势垒层121上的GaN沟道层122， 其中，二维空穴气体two-dimensionalholegas，2DHG形成于所述GaN沟道层122和所述AlGaN背势垒层121之间的接触面123上； 形成于所述半导体衬底110上方且紧邻所述GaN沟道层122和所述AlGaN背势垒层121的p型掺杂区101，其中，所述p型掺杂区101具有顶面101a和与所述顶面101a相对的底面101b，所述p型掺杂区101用于为形成于所述GaN沟道层122和所述AlGaN背势垒层121之间的所述接触面123上的所述二维空穴气体提供欧姆接触， 所述p型掺杂区101包括作为p型掺杂剂的镁， 所述p型掺杂区101包括从所述p型掺杂区101的所述顶面101a延伸出来的一个或多个中空腔102， 所述一个或多个中空腔102用于形成氢原子的逃逸通道，其中，所述氢原子是在制造所述半导体器件100的过程中对所述p型掺杂区101进行掺杂剂活化时形成的。

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