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龙图腾网获悉成都飞机工业(集团)有限责任公司申请的专利激光刻蚀路径确定方法和装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119260191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411303855.1，技术领域涉及：B23K26/362；该发明授权激光刻蚀路径确定方法和装置、电子设备及存储介质是由王宪;蔡明;王文淦;刘旭;邱古越;王飞;李颖;佘剑;黄超设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本激光刻蚀路径确定方法和装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供的激光刻蚀路径确定方法和装置、电子设备及存储介质，涉及激光刻蚀路径规划技术领域。在本申请中，首先，获取到加工区域的区域尺寸信息、待刻蚀表面的数据模型和待刻蚀阵子的图案尺寸信息；其次，基于区域尺寸信息、数据模型和图案尺寸信息，对多个待刻蚀阵子进行聚类处理，得到对应的至少一个聚类簇；然后，基于至少一个聚类簇中的每一个聚类簇的聚类中心，确定出目标激光刻蚀路径。基于上述内容，可以改善现有技术中存在的激光刻蚀路径确定的可靠度不高的问题。

本发明授权激光刻蚀路径确定方法和装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种激光刻蚀路径确定方法，其特征在于，包括： 获取到加工区域的区域尺寸信息、待刻蚀表面的数据模型和待刻蚀阵子的图案尺寸信息，其中，所述加工区域是指目标激光刻蚀系统在一个位置的最大扫描刻蚀区域，所述数据模型属于三维模型，所述待刻蚀阵子是指需要刻蚀的一个区域，且所述待刻蚀表面上具有多个所述待刻蚀阵子； 基于所述区域尺寸信息、所述数据模型和所述图案尺寸信息，对多个所述待刻蚀阵子进行聚类处理，得到对应的至少一个聚类簇，其中，每一个所述聚类簇包括至少一个待刻蚀阵子； 基于所述至少一个聚类簇中的每一个聚类簇的聚类中心，确定出目标激光刻蚀路径，其中，所述目标激光刻蚀系统用于沿着所述目标激光刻蚀路径，依次对多个所述待刻蚀阵子进行激光刻蚀处理，形成对应的刻蚀阵子； 其中，所述基于所述区域尺寸信息、所述数据模型和所述图案尺寸信息，对多个所述待刻蚀阵子进行聚类处理，得到对应的至少一个聚类簇的步骤，包括： 基于所述待刻蚀阵子，形成对应的待分裂簇，其中，在第一次进行分裂处理之前，所述待分裂簇包括全部的待刻蚀阵子； 基于所述区域尺寸信息、所述数据模型和所述图案尺寸信息中的至少部分信息，将所述待分裂簇进行分裂处理，形成对应的两个分裂子簇，并基于每一次进行分裂处理形成的全部分裂子簇，形成待定簇集合，包括：在所述待分裂簇中确定出两个待定分裂中心；基于每一个待刻蚀阵子在所述数据模型中的位置坐标，分别将所述待分裂簇中的每一个待刻蚀阵子进行分配处理，以分配到距离最近的一个待定分裂中心对应的待定集合中，以形成对应的两个待定集合；对于每一个所述待定集合，基于该待定集合中的各待刻蚀阵子的位置坐标，确定出该待定集合中的各待刻蚀阵子的中心位置坐标；基于所述两个待定集合对应的两个中心位置坐标和所述两个待定分裂中心，确定是否需要继续进行分配处理；在需要继续进行分配处理时，将所述两个待定集合对应的两个中心位置坐标对应的位置作为新的两个待定分裂中心，以回转执行所述基于每一个待刻蚀阵子在所述数据模型中的位置坐标，分别将所述待分裂簇中的每一个待刻蚀阵子进行分配处理，以分配到距离最近的一个待定分裂中心对应的待定集合中，以形成对应的两个待定集合的步骤；在不需要继续进行分配处理时，将最后一次进行分配处理形成的两个待定集合，作为对应的两个分裂子簇，以及，基于每一次进行分裂处理形成的全部分裂子簇，形成待定簇集合； 基于所述区域尺寸信息、所述数据模型和所述图案尺寸信息中的至少部分信息，确定是否需要继续进行分裂处理； 在需要继续进行分裂处理时，在所述待定簇集合包括的全部分裂子簇中，确定出一个分裂子簇，作为目标分裂子簇； 将所述目标分裂子簇作为新的待分裂簇，以回转执行所述基于所述区域尺寸信息、所述数据模型和所述图案尺寸信息中的至少部分信息，将所述待分裂簇进行分裂处理，形成对应的两个分裂子簇，并基于每一次进行分裂处理形成的全部分裂子簇，形成待定簇集合的步骤，直到不需要继续进行分裂处理时，所述待定簇集合包括的每一个分裂子簇分别作为聚类簇。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都飞机工业(集团)有限责任公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市青羊区黄田坝纬一路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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