浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司胡沈醉获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种边墙栅氧工艺的可靠性评估方法和系统及其电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297097B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411210813.3，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种边墙栅氧工艺的可靠性评估方法和系统及其电子设备是由胡沈醉;綦殿禹;王青青;任堃;高大为设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种边墙栅氧工艺的可靠性评估方法和系统及其电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种边墙栅氧工艺的可靠性评估方法和系统及其电子设备。本发明在TDDB测试结构中通过增加或减少finger数量来调整单个finger的栅长L，再进行可靠性测试得到TDDB测试结果；使用L、TDDB测试结果、栅极漏电流对数进行数据拟合，最终得到LDD区域与栅极的重叠面积的TDDB寿命、边墙附近下源漏极与栅极之间的栅氧化层质量。本发明提出新计算方法，用以弥补现有技术存在边墙附近部分栅氧可靠性评估的技术空白。本发明通过更精确地评估LDD区域与栅极重叠面积Sov的TDDB寿命，帮助工艺工程师深入理解并控制栅氧化层的制造工艺，尤其是在边墙和poly区域，有助于优化边墙附近部分栅氧化层的制造过程。
本发明授权一种边墙栅氧工艺的可靠性评估方法和系统及其电子设备在权利要求书中公布了：1.一种新型边墙栅氧工艺的可靠性评估方法，其特征在于所述方法具体是： 在TDDB测试结构中调整单个finger的栅长L，再进行可靠性测试得到TDDB测试结果； 使用单个finger的栅长L作为横坐标，TDDB测试结果作为纵坐标，进行数据拟合；外推L趋近于零时对应的TDDB测试结果，并将该TDDB测试结果作为LDD区域与栅极的重叠面积Sov的TDDB寿命； 使用单个finger的栅长L作为横坐标，栅极漏电流对数lgIg作为纵坐标，进行数据拟合；外推L趋近于零时对应的栅极漏电流对数lgIg，并将该栅极漏电流对数作为边墙附近下源漏极与栅极之间漏电流值，用于表征栅氧化层质量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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