中国科学院微电子研究所芮定海获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119335823B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411751863.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机是由芮定海;张利斌;韦亚一;粟雅娟设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机，可用于半导体制造领域，该方法中，获取套刻误差分布数据；套刻误差分布数据为套刻误差的绝对值的平均数与三倍标准差之和；套刻误差分布数据的多项式公式中，各项系数为补偿参数；基于套刻误差分布数据，通过预先建立的应力补偿模型，得到目标应力补偿方案；应力补偿模型包括多个应力执行器组各自对应的补偿应力与补偿参数的关联关系；基于目标应力补偿方案驱动应力执行器向掩模版施加补偿应力。由此，通过套刻误差分布数据得出补偿套刻误差所需要应力执行器执行的补偿应力，进而向掩模版施加补偿应力引起掩模版形变，实现了对光刻工艺中套刻误差的补偿，可以减小光刻工艺的套刻误差。
本发明授权一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机在权利要求书中公布了：1.一种光刻工艺套刻误差补偿方法，其特征在于，所述方法包括： 获取套刻误差分布数据；所述套刻误差分布数据为套刻误差的绝对值的平均数与三倍标准差之和；所述套刻误差为各个采集点的光刻图案与参考图案之间的坐标偏差；所述套刻误差分布数据的多项式公式中，各项系数为补偿参数； 基于所述套刻误差分布数据，通过预先建立的应力补偿模型，得到目标应力补偿方案；所述应力补偿方案包括应力执行器组及应力执行器所执行的补偿应力；所述应力补偿模型包括多个应力执行器组各自对应的补偿应力与补偿参数的关联关系； 基于所述目标应力补偿方案驱动应力执行器向掩模版施加补偿应力； 监测补偿后的套刻残差； 若所述套刻残差大于预设阈值的连续次数大于预设次数，则输出报警信息。
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