北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)冯源获国家专利权
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龙图腾网获悉北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)申请的专利一种双峰双曲余弦波导慢波结构、行波管及设计方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119694858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411790037.9,技术领域涉及:H01J23/28;该发明授权一种双峰双曲余弦波导慢波结构、行波管及设计方法是由冯源;潘攀;蔡军;冯进军设计研发完成,并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双峰双曲余弦波导慢波结构、行波管及设计方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种双峰双曲余弦波导慢波结构、行波管及设计方法,该双峰双曲余弦波导慢波结构包括彼此交错分布的多个上栅体和多个下栅体;以及电子注通道;所述慢波结构还包括由各上栅体和各下栅体限定的腔体结构;所述腔体结构包括形成多个周期性结构的上弯曲波导段和下弯曲波导段;相连的上弯曲波导段和下弯曲波导段呈中心对称设置;所述上弯曲波导段和下弯曲波导段均包括边界线,所述边界线为双曲余弦曲线;所述边界线满足以下函数关系:‑cosh2×‑tp‑b+cosh1cosh1‑cosh0×H,其中t∈[‑p+b2,p+b2],p为慢波结构半周期长度,b为腔体结构在电子注通道轴线上的腔体宽度,H为边界线的波峰端点与电子注通道轴线之间的垂直距离。
本发明授权一种双峰双曲余弦波导慢波结构、行波管及设计方法在权利要求书中公布了:1.一种双峰双曲余弦波导慢波结构,其特征在于,包括彼此交错分布的多个上栅体和多个下栅体;以及电子注通道;所述慢波结构还包括由各上栅体和各下栅体限定的腔体结构;所述腔体结构包括形成多个周期性结构的上弯曲波导段和下弯曲波导段;相连的上弯曲波导段和下弯曲波导段呈中心对称设置; 所述上弯曲波导段和下弯曲波导段均包括边界线,所述边界线为双曲余弦曲线; 所述边界线满足以下函数关系: , 其中t∈[-p+b2,p+b2],p为慢波结构半周期长度,b为腔体结构在电子注通道轴线上的腔体宽度,H为边界线的波峰端点与电子注通道轴线之间的垂直距离; 所述上弯曲波导段沿电子注通道轴向的两端分别与下弯曲波导段相连且连接点在电子注通道轴线上; 所述边界线包括外边界和内边界,所述外边界的波峰端点与电子注通道轴线之间的垂直距离为H1,内边界的波峰端点与电子注通道轴线之间的垂直距离为H2,电子注通道半径为rc,H1H2≥rc。
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